IGBT

Insulated/Insulator Gate Bipolar Transistor

IT/Elektro

Definition

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Leistungshalbleiterbauelement, das die Vorteile eines MOSFET (hohe Eingangsimpedanz, spannungsgesteuert) mit denen eines Bipolartransistors (hohe Stromtragfähigkeit) vereint. IGBTs werden in der Leistungselektronik eingesetzt, etwa in Frequenzumrichtern, Wechselrichtern und Motorsteuerungen.